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MMBT5551LT1G

发布时间2022-5-25 9:58:00关键词:MMBT5551LT1G
摘要

MMBT5551LT1G

类型

描述

选择

类别

分立半导体产品

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel? 得捷定制卷带

产品状态

在售

晶体管类型

NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

600 mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值)

100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

功率 - 最大值

225 mW

频率 - 跃迁

-

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

基本产品编号

MMBT5551