商品屬性 屬性值 選擇屬性
製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 120 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 83 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 210 W
通道模式: Enhancement
系列: U-MOS X-H
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Toshiba
下降時間: 30 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 104 ns
標準開啟延遲時間: 45 ns
