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STW30N65M5

发布时间2024-4-25 16:02:00关键词:STW30N65M5
摘要

STW30N65M5

产品属性 属性值 选择属性

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 22 A

Rds On-漏源导通电阻: 139 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 64 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 140 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

系列: Mdmesh M5

封装: Tube

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

600

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MDmesh V Power MOSFET

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 50 ns

单位重量: 6 g

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